Diseño de amplificadores de bajo ruido en banda milimétrica

Sin tener en cuenta introducción y conclusiones, la tesis doctoral esta dividida en 6 capítulos. Los dos primeros tratan del ruido eléctrico asociado a los dispositivos activos (transistores Gaas Fet y Hemt) utilizados en los amplificadores, y de su medición. En el capitulo i se propone y desarrolla una formulación del error cometido en las medidas de factor de ruido que utilicen el método del factor y, y se presentan las cotas calculadas para la medida de dos amplificadores, en la banda de 2.6 GHZ y 30 GHZ, respectivamente. En el capitulo II se propone y desarrolla una formulación para la extracción del factor de ruido a partir de medidas no corregidas, cuya finalidad es incrementar la precisión en la medición de este respecto a los métodos convencionales. También se proponen métodos de medida de los parámetros de ruido basados en medidas redundantes del factor de ruido y se presentan resultados experimentales a 2 GHZ. En los capítulos III, IV y v se trata el tema de la medida de los parámetros s de los dispositivos activos (transistores Gaas Fet y Hemt) utilizados en la banda milimétrica (hasta 40 GHZ), poniendo un énfasis especial en el estudio de las técnicas de calibración de analizadores de redes y de los errores de medida. El capitulo III pasa revista de las técnicas de calibración mas utilizadas actualmente, en particular la denominada TRL/Thru-Reflect-Line, que permite medir los parámetros s en medios de transmisión planares (tales como Microstrip y CPW) con elevada precisión. El capitulo IV propone y desarrolla teóricamente una formulación para los errores residuales de la calibración TRL y su repercusión en la precisión de las medidas de parámetros utilizando dicha técnica. En el capitulo v se describen las técnicas de diseño de dispositivos de calibración y medida (test fixtures) en tecnología Microstrip para transistores chip, ente 1 y 43 GHZ. Se presentan resultados experimentales hasta 40 GHZ utilizando dos texto