DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS

DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGAUNTUK SEL SURYA CIS. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-Ppada substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC sputtering. Penelitian inibertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi.Untuk mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi parameter sputtering yaitu waktudeposisi 30; 60; 90 dan 120 menit, tekanan gas 1,1 ´ 10-1; 1,2 ´ 10-1; 1,3x10-1dan 1,4 ´ 10-1 Torr, yang lain dibuattetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi digunakanprobe empat titik, Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi terendah R = 5,14 kW, pada kondisi waktudeposisi 60 menit, tekanan gas 1,3 ´ 10-1 Torr, suhu 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA, kemudian tipekonduksinya adalah tipe-N. Struktur kristal lapisan terorientasi pada bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhankristal CuInSe2, dan pada bidang (100),(110) dan (220) untuk penumbuhan kristal CdS. Hasil pengamatan strukturmikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2 mempunyaiketebalan lapisan 1,0 mm dan lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 mm