Capteur magnétique de très grande sensibilité à sonde Schottky

A magnetosensitive device based on the combination of two effects is described: * the magnetoconcentration effect, * the sensitiveness of the reverse saturation current of a Schottky diode to a carrier density excess. The device is fabricated on germanium slabs and its presents a sensitiveness dV/dB = 250 V/tesla (25 mV/gauss). This sensitiveness is 100 times higher than that of Hall effect sensors and higher than that of usual magneto-diodes. On the other hand, the smallest static or alternative magnetic field that the device can reach, with a signal to noise ratio equal to 1, is about 10-10 tesla. The device can be fabricated on Silicon On Sapphire.Nous décrivons un dispositif magnétosensible combinant les deux effets suivants : * l'effet de magnétoconcentration, * la sensibilité du courant de saturation inverse d'une diode Schottky à un excès de porteurs. Le dispositif est réalisé sur des barreaux de germanium et présente une sensibilité dV/dB = 250 V/tesla (25 mV/gauss). Cette sensibilité est 100 fois plus grande que celle des meilleurs capteurs à effet Hall et supérieure à celle des magnéto-diodes usuelles. D'autre part, le champ magnétique minimal, continu ou alternatif, détectable pour un rapport signal sur bruit 1 est de l'ordre de 10-10 tesla. Ce dispositif est réalisable en technologie Silicium Sur Isolant