Mobilité à 1 MHz du front de fusion de 4He

In this experiment, the oscillating pressure due to a 1 MHz sound wave alternatively melts and solidifies a crystal of 4He. We can deduce the mobility of the interface, between 0.4 K and 1 K, from the acoustic transmission. When the interface corresponds to the basal plane of the H.C.P. phase, we observe a mobility threshold, which we explain by the pinning of steps on screw dislocations. In the other observed directions, the mobility is larger when the temperature is lower, and behaves like ξ = ξ0 exp T0/T, T0 varying between 7.8 K and 5 K.Dans cette expérience l'oscillation de pression d'une onde sonore à 1 MHz fait alternativement fondre et solidifier un cristal de 4He. Nous pouvons déduire la mobilité ξ de l'interface, entre 0,4 K et 1 K, de la mesure de la transmission acoustique. Quand l'interface correspond au plan de base hexagonal, nous observons un seuil de mobilité que nous expliquons par l'ancrage des marches sur les dislocations vis. Pour les autres orientations observées, la mobilité est d'autant plus grande que la température est plus basse et bien représentée par une loi ξ = ξ0 exp T0/T, T0 variant entre 7,8 K et 5 K