Electroréflexion et ellipsométrie spectroscopique d'hétérostructures InGaAsP/InP et GaAlAs/GaAs

Two complementary, non destructive and sensitive optical technics (electroreflectance and spectroscopic ellipsometry) are used to analysed semiconductor multilayers. Ultra thin layer of InP is detected on InGaAsP quaternary alloy. On stacked heterostructures with ultra thin layers, chemical compositions, thicknesses, interfaces quality, mechanical stresses and the mains optical transitions are determined. Electronic levels of a GaAs double quantum well in a GaAlAs matrix are measured by electroreflectance.On utilise deux techniques optiques sensibles non destructives et complémentaires : l'électroréflexion et l'ellipsométrie spectroscopique pour analyser des structures semiconductrices multicouches. On montre, sur un alliage quaternaire de GaInAsP, qu'il existe une bi-couche d'InP. Sur des empilements d'hétérostructures contenant des couches ultra-minces, on détermine la composition chimique des couches, les épaisseurs, la qualité des interfaces, les contraintes mécaniques et les principales transitions optiques. On mesure par électroréflexion les niveaux électroniques d'un double puits quantique de GaAs dans une matrice de GaAlAs