DISLOCATION DEFECT STATES IN SILICON

Une méthode de spectroscopie par capacité transitoire a été utilisée pour l'étude des niveaux d'énergie introduits dans le silicium par déformation plastique à 770°C. Une grande variété de niveaux a été observée avec un niveau prépondérant à E(Ec-0.68eV) après déformation. La variation de la configuration des dislocations par une double déformation ne change pas les spectres de capacité observés après une simple déformation. Après recuit à 900°C les spectres se simplifient et montrent seulement deux niveaux d'énergie dominant à E(Ec-0.38eV) et H(Ev+0.35eV).Capacitance transient spectroscopy has been used to study the defect states introduced into silicon by plastic deformation at 770°C. A large variety of defect states are observed with a prominent state at E(Ec-0.68eV) after deformation. Varying the dislocation structure by a two stage deformation procedure did not change the observed capacitance spectra after deformation. Upon annealing at 900°C the spectra simplify to two dominant states at E(Ec-0.38eV) and H(Ev+0.35eV)