Charge carriers transport properties in CdTe measured with time of flight technique

The experimental results of charge carrier transport properties obtained in high resistivity CdTe with time of flight technique is reviewed. The data for electrons and holes measured in Cl and In doped material are presented. The effect of ionized scattering centers are also analysed. A comparison among theory and experiment is made.On passe en revue les résultats expérimentaux obtenus par la méthode du temps de vol sur les paramètres de transport dans le tellurure de cadmium de haute résistivité. On s'intéresse tout d'abord aux mesures effectuées sur les cristaux compensés à l'indium et au chlore, puis on analysera l'influence des centres de diffusion chargés sur la mobilité des électrons et des trous. Finalement, on comparera les résultats expérimentaux à ceux prévus théoriquement