Propriétés semiconductrices du ditellurure de molybdène

Single crystals of MoTe2 have been prepared by vapour-phase transport. The electrical resistivity p, the Hall effect R, the Seebeck coefficient α have been measured for temperatures ranging from 64 °K to 1 000 °K. These results are discussed in terms of a simplified band model where the density of states for electrons and holes are respectively 1.4 × 10^16 T3/2 cm-3 and 2.9 × 10^16 T3/2 cm-3 and the Hall mobility ratios about unity. The value of the energy gap deduced from optical absorption measurements, fits the one obtained from resistivity vs T plots quite well. This value, attributed to indirect transitions, is (1.020 ± 0.015) eV at 0 °K with a temperature coefficient of 5.4 × 10^-4 eV/°C.Des monocristaux de MoTe2 ont été préparés par une méthode de « transport en phase vapeur ». La résistivité ainsi que les coefficients de Hall et de Seebeck ont été mesurés, sur les monocristaux, en fonction de la température dans le domaine 64 °K - 1 000 °K. L'interprétation de ces résultats a conduit, dans un modèle simplifié à attribuer aux densités équivalentes Nc et N v les valeurs respectives 1,4 × 10^16 × T3/2 cm-3 et 2,9 × 10^16 × T3/2 cm -3 et au rapport des mobilités de Hall une valeur très voisine de l'unité. Les mesures de coefficient d'absorption optique ont montré, en accord avec celles de résistivité en fonction de la température que la largeur de bande interdite (correspondant à des transitions indirectes) avait pour valeur (1,020 ± 0,015) eV à 0 °K, avec le coefficient de température 5,4 × 10^-4 eV/°C