Effect of oxygen on the electrical properties of thin Al films

Thin Al films are deposited onto glass substrates at 573 K in high vacuum. The electrical resistivity was measured in situ during and after film deposition, as a function of film thickness, annealing temperature and annealing time, for pure Al films, films deposited in an oxygen atmosphere and films deposited under vacuum and oxidized step by step. TCR was calculated as a function of film thickness. Fuchs-Sondheimer theory for electrical conduction was applied to the experimental results and the mean free path of the conduction electrons was calculated for the three series of the deposited Al films.Des couches minces d'aluminium sont déposées sur des substrats de verre à 573 K sous vide poussé. On a mesuré la résistivité électrique in situ pendant et après le dépôt des couches minces, pour diverses épaisseurs, températures et durées de recuit; des couches de Al pur ont été étudiées, ainsi que d'autres dopées en présence d'oxygène ou par expositions séquentielles au vide et à l'oxygène. La théorie de Fuchs-Sondheimer pour la conduction électrique a été utilisée pour expliquer les résultats expérimentaux. Le libre parcours moyen des électrons de conduction a été calculé pour les trois séries de couches