The temperature dependence of the electrical properties of thin tellurium films

The Hall mobility μ and the concentration p of the holes in thin evaporated Te films of 130 Å thickness is investigated as a function of the temperature. From the temperature dependence of the mobility, it is shown that the dominant scatterer of the holes are grain boundaries and that the Petritz-model is valid. From the temperature dependence of the carrier concentration, it is shown that the films are doped with various acceptors, which are uniformly distributed in the forbidden energy gap.La mobilité de Hall μ et la concentration p des trous dans les couches minces évaporées en Te de 130 Å d'épaisseur sont étudiées en fonction de la température. La façon dont la mobilité dépend de la température, montre que le plus important mécanisme de diffusion des trous sont des joints de grains et que le modèle de Petritz est valable. La façon dont la concentration des porteurs de charge dépend de la température, montre que les couches sont dopées avec différents accepteurs, qui sont distribués uniformément dans la bande interdite