Barrier heights on cadmium telluride schottky solar cells

Schottky barriers on N-type cadmium telluride have been studied in view of application to solar cells. The barrier heights, as determined by the photoresponse and forward current measurements show a linear dependence upon the metal work function. Barrier heights up to 0.90 eV have been reached for Pt-CdTe contacts. Open circuit voltages up to 680 mV have been measured for such cells. Investigation of the Au-CdTe barrier immediately after the deposition of the metal (no contact with air) has shown that the barrier is formed immediately under vacuum. However, when the device is brought in contact with air, the open circuit voltage increases due to an increase of the n factor.On a étudié des diodes Schottky sur le tellurure de cadmium de type N. On a montré qu'il existait une relation linéaire entre le travail d'extraction du métal et la hauteur de barrière lorsque cette demière est mesurée par effet photoélectrique ou à partir des caractéristiques directes des diodes. Des hauteurs de barrière de 0,90 eV ont été atteintes dans le cas de contacts Pt-CdTe. Dans ce cas, les tensions en circuit ouvert des cellules photovoltaïques pouvaient atteindre 680 mV sous éclairement solaire. L'étude du contact Au-CdTe, effectuée sous vide, immédiatement après le dépôt du métal, a montré que la barrière était immédiatement formée. Néanmoins, lorsque la diode est mise au contact de l'air, la tension en circuit ouvert s'accroit par suite d'une augmentation du facteur n