Étude de la préparation et des propriétés électriques de couches minces semiconductrices d'antimoniure d'aluminium

AlSb thin films, showing semiconducting properties similar to those of massive material, have been obtained. The preparation uses a coevaporation process of stoichiometric amounts of components. For temperatures higher than 650 °C, only the compound AlSb is crystallized through liquid phases of components, while a residual antimony phase coexists with it for annealing between 520 and 650 °C. All the films are p type and their conductivities range from 0. 05 to 0. 5 Ω-1 cm- 1 at 20 °C. I. R. and visible transmission and reflectivity were studied ; this permitted the determination of the optical forbidden band gap found at 1.90 eV, associated with an indirect transition for a 1. 50 eV activation energy. Measurements of the photoconduction spectral sensitivity are in good agreement with these results.Nous avons réalisé des couches minces du composé AlSb présentant des propriétés semiconductrices semblables à celles du matériau massif. La technique de préparation utilise l'évaporation simultanée des éléments constituants dans des proportions stoechiométriques. Pour des températures de recuit supérieures ou égales à 650 °C, seul le composé AlSb cristallise à partir des phases liquides des composants, alors qu'il est accompagné d'une phase antimoine résiduelle pour des recuits effectués entre 520 et 650 °C. Les couches sont toutes de type p et leur conductibilité varie entre 0,05 et 0,5 Ω-1 cm-1 à 250 °C. L'étude de la transmission (I. R. et visible) et de la réflexion optique de ces couches conduit à une largeur de bande interdite optique de 1,90 eV associée à une transition indirecte nécessitant une énergie d'activation de 1,50 eV. Ces résultats sont confirmés par la variation spectrale de la photoconductibilité