Amorphisation d'une cible d'AsGa par des ions As

The “critical damage energy density” model gives a practical analysis of the amorphous-crystalline ion induced transition. Cross-sectional electron microscopy and related diffraction techniques have been applied to the characterization of arsenide-bombardement induced amorphization of gallium arsenide at room temperature. Combining the experimental measurements of the extension of the amorphous layer for increasing doses with concepts arising from the “critical damage energy density” model leads to $E_{\rm dc}$ values of about 50 eV mol.$^{-1}$ for 100 ke V arsenide, for the cristalline to amorphous transformation to occur.Le modèle de la densité d'énergie critique donne une analyse pratique de la transition cristal/amorphe induite par implantation ionique. Nous l'avons appliqué au cas d'un cristal d'arséniure de gallium irradié, à température ambiante, par des ions arsenic accélérés sous une tension de 100 kV. L'observation des dépôts irradiés en microscopie électronique par la tranche nous a permis de tracer un diagramme d'état expérimental qui permet pour un tel système de prédire les effets d'une implantation. En associant ces résultats à la distribution de la densité d'énergie de dommage donnée par TRIM, nous avons trouvé pour ce système une valeur de la densité d'énergie critique égale à 50 eV/mol