DEEP LEVEL DEFECTS IN SILICON AFTER BEAM PROCESSING IN THE SOLID PHASE REGIME

On passe en revue les récentes études de défauts dans le silicium traité par faisceau d'énergie en phase solide, en mettant l'accent sur la caractérisation électrique. On a observé des défauts ponctuels en concentration de 1014 - 1015 cm-3 dans les couches superficielles de plaquettes de silicium, implantées ou non, après recuit transitoire en phase solide. L'utilisation de la DLTS a permis de déterminer la nature microscopique de ces défauts, et de préciser les mécanismes mis en jeu dans leur introduction. Beaucoup d'informations pratiques concernant la production et la guérison de ces défauts ont ainsi été obtenues. On discutera les conséquences de ces travaux pour la réalisation des dispositifs et les applications aux études de défauts dans les semiconducteurs.Recent investigations of defects in cw beam processed silicon are reviewed, with emphasis on electrical characterization. Defect levels have been observed in concentrations of 1014 - 1015 cm-3 in surface layers of silicon wafers, either ion-implanted or virgin, following beam processing in the solid phase regime. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) has provided a unique insight into the microscopic nature of these defects, and the mechanisms of defect production. Practical informations concerning the conditions for defect introduction and removal have been obtained. Implications regarding device fabrication and thermally induced defects in silicon will be discussed