Photoelectron energy distribution and spin polarization from activated gallium arsenide

High resolution electron energy distribution and spin polarization measurements of photoelectrons emitted from an activated GaAs crystal are reported. Non-thermalized electron effects and the significance of hot electron spin relaxation as well as the influence of the band bending region are evidenced.Des mesures de distribution en énergie à haute résolution et de polarisation de spin ont été effectuées sur des photoélectrons émis par un cristal d'arséniure de gallium activé. Les effets d'électrons non-thermalisés, l'importance de la relaxation de spin pour les électrons chauds ainsi que l'influence de la région de courbure de bande sont mis en évidence