Resistivity annealing properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures

We present the first resistivity annealing curves of Al after implantation of Al-, H-, and O-ions at liquid helium temperatures. The Al-implantation produces a curve resembling that of neutron-irradiated Al ; low-dose H- implantation results in two strongly enhanced stage I recovery peaks, while high-dose H- implantation annealing results suggest that H-ordering or a phase transformation takes place.Nous présentons les premiers résultats de recuit de résistivité pour des couches minces d'aluminium après implantation d'ions Al, H et O à des températures inférieures à 6 K. La courbe de recuit après implantation d'ions Al est semblable à celle obtenue après irradiation aux neutrons. L'implantation d'ions H à faible dose fait apparaitre deux pics très marqués au stade I du recuit. Après implantation de fortes doses d'hydrogène, la courbe de recuit indique la possibilité d'un ordre des ions H ou bien d'une transformation de phase