CdTe Epitaxial films and their properties

Undoped and doped CdTe films of p and n type conductivity with a given deviation of film composition from stoichiometry, were grown by a vapour epitaxial technique by heating the substrate with light. Measurement results of electrophysical properties and film homogenity versus thickness are given. P-N junctions were produced by epitaxy, their properties being investigated with scanning a electron microscope.Des films de tellurure de cadmium ont été préparés par épitaxie par voie gazeuse sur un substrat chauffé par éclairement. Des couches dopées ou non, de type n ou p, présentant les écarts de stœchiométrie souhaités ont pu être obtenues. On présente ici leurs caractéristiques électriques et on discutera les problèmes d'homogénéité des couches. Par ailleurs, des jonctions p-n ont pu être réalisées, leurs propriétés ont été analysées au moyen d'un microscope électronique à balayage