HIGH VOLTAGE ELECTRON MICROSCOPY AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (EBIC MODE) OF THE SAME DISLOCATION

Les études des défauts cristallins, spécialement des dislocations situées près des jonctions p-n formées au moyen de la diffusion dans des échantillons de silicium, ainsi que des dislocations situées prés des jonctions p-n induites par le champ électrique en des structures MIS spéciales, qui sont effectuées utilisant une combinaison : microscopie électronique à balayage (mode EBIC) et microscopie électronique à haute tension, ont révélé une corrélation directe entre les défauts cristallins individuels et leur activité électrique. Les résultats obtenus montrent que plus cette "activité" est grande, plus prononcée est la "décoration" des défauts par des agglomérations d'impuretés.Investigations of crystal defects, especially dislocations near diffused p-n junctions in silicon materials and near field-induced p-n junctions in special MIS structures, carried out by a combination of scanning electron microscopy (EBIC mode) and high-voltage electron microscopy, have revealed a direct correlation between individual crystal defects and their electrical activity. The achieved results point to the fact that this "activity" is the higher the stronger the imaged defects are decorated by impurity agglomerates