Electronic structure of complex defects in silicon : divacancy and split 100 interstitial

The Green's function method together with a tight binding parametrisation of the band structure on Si are used to calculate the electronic structure of complex defects : the divacancy and the split 100 interstitial. Results are compared with E.H.T. calculations and some general conclusions on the best use of the method are drawn.On a utilisé la méthode des fonctions de Green et une description en liaisons fortes de la structure de bande du silicium pour traiter la structure électronique de défauts complexes : la bilacune et l'intersticiel dissocié 100. Les résultats sont comparés avec ceux obtenus à l'aide de la méthode de Hückel étendue. On en tire quelques conclusions sur la meilleure utilisation de la présente méthode