EPR OF DISLOCATIONS IN SILICON

Une revue des mesures par RPE des spectres associés aux dislocations est donnée, en insistant particulièrement sur les modèles atomiques envisageables pour ces centres. On peut déduire des récentes mesures des lignes hyperfines caractéristiques du centre Si-Kl de nouveaux renseignements sur l'arrangement atomique au voisinage de ce centre. On peut conclure de ces résultats que les centres associés aux dislocations sont très probablement localisés sur les dislocations partielles des vis dissociées. De plus, l'influence d'un éclairement a été étudiée : il apparaît que le nombre de centre à spins appariés croît tandis que le spectre du centre Si-Kl décroît sous irradiation par une lumière d'énergie soit égale à la largeur de bande interdite soit égale à 0,68 eV.Our EPR measurements of dislocation spectra in silicon are reviewed with special emphasize on the possible atomic models of these centres. New information upon the atomic arrangement around the single electron centre Si-Kl can be deduced from recent measurements of hyperfine lines belonging to this centre. From these results is concluded that the partial dislocations of split screw dislocations are the most probable location of the dislocation centres. In addition the effect of illumination on these centres is discussed : band gap light as well as light with 0.68 eV photon energy enhances the number of coupled spin centres and decreases the Si-Kl spectrum