DOIAbstract
L'ensemble des méthodes théoriques utilisées pour calculer les états électroniques associés aux dislocations dans les matériaux à liaisons covalentes, est passé en revue. Un résumé de la situation expérimentale est fait qui inclut ce qui a pu être déduit pour les dislocations à 60° dans le silicium, le germanium et l'arsenic de gallium, et les dislocations partielles dans le silicium.A review is given of the theoretical methods that have been used to calculate the electronic states associated with dislocations in covalently bonded materials. A summary of the experimental situation is also included as well as results that have been derived for the 60° dislocations in silicon, germanium, gallium arsenide and partial dislocations in silicon
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