Etats électroniques occupés et inoccupés de SiO2 mesurés par photoémission directe et inverse et par émission d'X mous

Direct and inverse photoemission in the U.V. range and soft X-ray emission spectra (SiL2,3) are presented for silicon di-oxides. These measurements concern amorphous (a-SiO2) and cristalline (quartz) di-oxides. These results allow an investigation of the electronic structure of these compounds around the Fermi level. Furthermore they show clearly that no Si 3d electrons are present at the top of the valence band.Nous présentons nos résultats d'expériences de photoémission directe et inverse dans le domaine ultraviolet ainsi que ceux d'expériences d'émission de rayons X mous ( Si L2,3) obtenus sur des échantillons de di-oxyde de silicium sous forme amorphe (a-SiO 2) ou cristalline (quartz). Ces résultats permettent de mieux connaître la structure électronique de SiO2 de part et d'autre du niveau de Fermi et montrent clairement, en accord avec les calculs théoriques, qu'il n'y a pas d'électrons Si 3d au sommet de la bande de valence