On the identification of the double donor state of EL2 in p type GaAs

Combining deep level transient spectroscopy (DLTS), deep level optical spectroscopy (DLOS), optical DLTS (ODLTS) and thermally stimulated capacitance (TSCAP) on p type LEC GaAs we have shown that: i) this material contains a native hole trap HM1 at Ev + 0.52 eV which does not exist in crystals grown under Ga-rich conditions ; ii) a minority carrier trap is detected at Ec - 0.82 eV with the same concentration ; this level is shown to be the electron trap EL2 ; iii) on the basis of photocapacitance and TSCAP measurements it is demonstrated that HM1 is the double donor state (++/+) of EL2.En combinant des expériences de DLTS, DLOS, ODLTS et TSCAP sur des matériaux GaAs LEC de type p, nous avons montré que : i) ce matériau contient un défaut natif HM1 à Ev + 0,52 eV qui n'existe pas dans les cristaux élaborés dans des conditions riches en Ga ; ii) un piège à porteur minoritaire est détecté à Ec - 0,82 eV avec la même concentration ; nous avons montré que ce défaut est le niveau EL2 ; iii) à partir d'expériences de photocapacité et de TSCAP, nous démontrons que HM1 est l'état double donneur (++/+) de EL2