Uniaxial compression effects on conduction mechanisms in p-type gallium antimonide

The effect of uniaxial compressional stress on the resistivity of p type GaSb has been measured between 4.2 K-300 K. We have determined the deformation potential constants b and d of the Γ8 level and the effective Bohr radius by measuring the variation of the acceptor binding energy. We have compared data obtained directly by modulation spectroscopy with acceptor binding energy method under uniaxial stress. We have made a study of impurity conduction processes in this p type III-V compound and compared our experimental results with i) the theory of Mikoshiba for conduction by impurity band and ii) the models of Abrahams and Miller and Shklovskii for conduction by hopping.Nous avons mesuré entre 4,2 K et 300 K l'effet d'une compression uniaxe sur la resistivité du GaSb de type p. Nous avons déterminé les constantes de potentiel de déformation b et d du niveau Γ8 ainsi que le rayon de Bohr effectif en faisant varier l'energie de liaison de l'accepteur avec la contrainte. Nous avons comparé les résultats obtenus directement par spectroscopie de modulation avec ceux obtenus par cette méthode. Nous faisons également une étude des processus de conduction par impuretés dans ce type de composés III-V. Les résultats obtenus sont comparés aux résultats théoriques obtenus par différentes theories : théorie de Mikoshiba lorsque la conduction se fait par bande d'impureté, théorie de Abrahams et Miller et théorie de Shklovskii lorsque la conduction se fait par Hopping