Percolation and superconductivity in ion-implanted aluminium films

Ion implantation of Si and Ge in Al thin films at 8 K produces alloys exhibiting enhanced superconducting transition temperatures (up to 8.35 K for Al 60Si40) and a metal-non metal transition at a volume concentration of 45 % Si. These results are compared to those obtained by other authors on films prepared by evaporation on cold substrate.L'implantation ionique de Si et Ge dans des films minces d'aluminium à 8 K conduit à des alliages dont la température critique supraconductrice est fortement augmentée (jusqu'à 8,35 K pour Al60Si40), et qui présentent une transition métal-non métal pour une concentration en volume de 45 % Si. Ces résultats sont comparés à ceux obtenus par ailleurs pour des films préparés par évaporation à froid