Mise en évidence de dislocations dans des monocristaux par diffusion d'atomes marqués

- 1. Results of various methods of revealing dislocations on the surface of single crystals of metals and semiconductors are discussed. - 2. A new method of revealing dislocations by "decoration" with radioactive tracers followed by autoradiography is described. The method described makes use of the preferential diffusion of solute atoms along dislocations in the case of short time diffusion and of the possibility to locate the dislocations on the crystal surface by means of autoradiography. The isotopes Ag110m has been used for diffusion. - 3. A comparison of results of revealing dislocation pits by chemical etching and decoration with radioactive tracers followed by autoradiography is given.- 1. Analyse de la reproductibilité des résultats obtenus par différentes méthodes utilisées pour la mise en évidence des points d'émergence des dislocations sur la surface de monocristaux de métaux et de semiconducteurs. - 2. Description d'une nouvelle méthode de mise en évidence des dislocations par emploi de l'autoradiographie après « décoration » des dislocations par atomes marqués. Dans cette méthode, on utilise la diffusion préférentielle des éléments d'addition le long des dislocations au cours d'un court traitement et la possibilité de localiser les points d'émergence des dislocations sur la surface du cristal par autoradiographie. Pour la diffusion, on a utilisé l'isotope radioactif 110mAg. - 3. Comparaison des résultats obtenus dans l'étude de la mise en évidence des points d'émergence des dislocations par attaque chimique et décoration suivie d'une autoradiographie