Section efficace de photoionisation dans les semiconducteurs Polaires

Theoretical expression for the photoionization cross section of semi-deep level impurity is developed as a function of photon energy. In this model we take account to the interaction between the charge carriers and the longitudinal optical phonons of polar semiconductors and the influence of central-cell correction by means of a semi-empirical short range potential. The results obtained are compared with reported experimental and theoretical results.Des expressions théoriques de la section efficace de photoionisation sont developpées pour les états d'impuretés semi-profonds en fonction de l'énergie du photon. Dans ce modèle, nous tenons compte de l'interaction porteur de charge-phonon ainsi que de la correction de cellule centrale par le moyen d'un modèle analytique du potentiel de l'impureté. Les résultats obtenus sont comparés avec les données expérimentales et théoriques