APPLICATION OF DISLOCATION-INDUCED ELECTRIC POTENTIALS IN Si AND Ge

On examine la barrière électrique (DEB) créée par une dislocation dans les semiconducteurs du point de vue de la recherche. En analysant la dépendance de la température du DEB, on obtient des résultats qualitatifs nouveaux sur les niveaux d'énergie dans les dislocations. On propose la possibilité de déterminer la densité des dislocations à l'aide de mesures électriques. Un modèle de dislocation isolée et des circuits monolitiques basés sur elle, sont discutés.Utilization of dislocation electric barrier (DEB) in semiconductors for fundamental research purposes, as well as DEB device application is considered. Analyzing the DEB temperature dependence new qualitative information on dislocation energy states is obtained. Determination of dislocation density by electrical measurements is proposed. Model of single dislocation and monolithic circuits based on it are discussed