Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

The doping of gallium arsenide layers grown by the trimethylgallium/arsine method has been studied for germanium, tin, selenium and zinc doping. We obtained n and p type layers doped between 5 x 1016 and 3 x 10 18 cm-3. In the growth conditions described, the values of Hall mobilities μn measured are between 2 700 and 3 900 cm 2. V-1. s-1 and μp between 105 and 320 cm2. V-1. s-1 and are in good agreement with those obtained by the other techniques.Des couches d'arséniure de gallium épitaxiées par la technique de croissance aux organométalliques ont été dopées par le germanium, l'étain, le sélénium et le zinc. L'étude de l'incorporation de ces éléments en fonction des paramètres de croissance nous permet d'ajuster le niveau de dopage entre 5 x 10 16 et 3 x 1018 cm-3 tant en type n qu'en type p. Les valeurs de mobilité obtenues dans cette gamme (μn compris entre 2 700 et 3 900 cm2. V-1. s-1 et μ p compris entre 105 et 320 cm2. V-1. s-1 ) attestent que les matériaux élaborés présentent une bonne qualité électronique