Minority carrier trap measurements in schottky barriers on N-type LPE GaAs

Photocapacitance transient technique has been applied to Schottky semitransparent barriers as an alternative method, instead of the classical capacitance voltage transient method in p+-n junctions for detecting minority carrier traps. In such a way and, under certain conditions, it is possible to detect and measure both majority and minority traps in Schottky barriers. The method applies well to Schottky barriers in LPE GaAs. A hole trap at 0.57 eV above valence band has been found in reasonable agreement with results in n-p + junctions in which n-layer was grown by LPE.La technique de mesure transitoire de photocapacitance a été appliquée aux barrières de Schottky semi-transparentes pour détecter les pièges de porteurs minoritaires dans les jonctions p+-n au lieu de la méthode classique de mesures transitoires de capacité. De cette manière, et sous certaines conditions, il est possible de détecter et de mesurer le nombre de pièges de porteurs majoritaires et minoritaires dans les barrières de Schottky. La méthode s'applique bien aux barrières de Schottky AsGa sur couches épitaxiques obtenues en phase liquide. Un piège à trou a été mis en évidence à 0,57 eV au-dessus de la bande de valence. Ce résultat est en bon accord avec celui trouvé dans les jonctions n-p+ sur couche fabriquée en phase liquide