INFLUENCE DE LA STRUCTURE ET DE LA SEGREGATION AUX JOINTS DE GRAINS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET LE RENDEMENT PHOTOVOLTAIQUE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN

On relie les propriétés électriques et structurales des joints de grains dans le cas du silicium polycristallin produit par la méthode Bridgman (C.G.E.), en comparant les mesures macroscopiques de réponse photovoltaïque (LBIC) et de chute de potentiel aux joints, aux analyses cristallographiques et chimiques effectuées en microscopie électronique (STEM, EDS, EELS). On peut distinguer trois types de joints : 1) les joints plans -cohérents- qui n'influent pas sur le photocourant, à moins d'être décorés. 2) les sous-joints, vraisemblablement toujours décorés, qui dégradent le photocourant jusqu'à l'annuler. 3) les joints généraux qui dégradent le photocourant et sont en plus résistifs dans certains cas de dopage.Electrical and structural properties of grain boundaries in polycristalline silicon grown by the Bridgman method (C.G.E.) have been connected by comparing the photovoltaïc response (LBIC) and grain boundaries potential drops measurements with cristallographical and chemical analysis carried out in electron microscopy (STEM, EDS, EELS). Grain boundaries may be classified in three groups : 1) coherent plane boundaries that do not affect the photocurrent unless they are decorated. 2) sub-boundaries usually decorated, which tend to annihilate the photocurrent. 3) incoherent boundaries that degrade the photoresponse and also create insulating barriers depending on the doping element