DX centers in AlAs and GaAs-AlAs selectively doped superlattices

DX centers have been investigated using deep level transient spectroscopy (DLTS) in Si doped AlAs and in selectively doped GaAs-AlAs superlattices (SLs) grown by molecular beam epitaxy. The activation energy for thermal emission is $E_{\rm a} = 0.42$ eV in both the SLs and AlAs layers. For the first time a study of the capture in a SL reveals a capture activation energy $E_{\rm cap} = 0.36$ cV, which locates the DX at $E_{\rm t}\approx 60$ meV below the conduction miniband. Taking into account the measured energies and trap concentrations, we show that the DX observed in the SLs lies in the AlAs layers.Des mesures de spectroscopie capacitives effectuées sur AlAs et sur des super-réseaux (SR) GaAs-AlAs dopés sélectivement et épitaxiés par jets moléculaires montrent que le centre DX a une énergie apparente $E_{\rm a} = 0.42$ eV aussi bien dans AlAs que dans les SR. Pour la première fois, une étude de la capture menée sur un SR nous permet de remonter à l'énergie d'activation de la section efficace de capture qui est dans notre cas de 0.36 eV, ce qui positionne le DX à $E_{\rm t}\approx 60$ meV de la minibande de conduction. La nature et la position de DX sont discutées en tenant compte de l'énergie et de la concentration du DX pour chaque structure, et nous montrons que le DX observé est lié au silicium dans les couches AlAs