Fabrication of 30 nm inter-electrode gap co-planar tunnel junctions with buried electrodes

Co-planar tunnel junctions with a gap length in the 30 nm range have been fabricated using a 20 keV scanning electron microscope and a Au-Pd lift-off. The junction electrodes are less than 200 nm in width and are buried in the SiO$_2$ substrate. This makes the gap surface accessible for atomic force microscope characterization and for local modification.Des jonctions tunnels co-planaires avec une largeur de coupure inférieure à 30 nm ont été fabriquées en utilisant un masqueur électronique à 20 keV et un procédé de lift-off d'un alliage Au-Pd. Les électrodes de la jonction ont moins de 200 nm de largeur et sont enterrées à la surface de SiO$_2$. La mesure de la topographie de la surface de la coupure avec un microscope à force atomique montre une rugosité de moins de 1 nm