Energy levels in electron irradiated n-type germanium

Deep levels introduced by room temperature 1 MeV electron irradiation in p+n photodiodes have been studied using deep level transient spectroscopy. Two electron traps and one hole trap have been observed after irradiation. A second hole trap is observed upon the annealing of the first hole trap. The energy levels associated with these traps, their cross-sections and their annealing behaviour have been determined.Les niveaux profonds introduits par irradiation à température ambiante avec des électrons de 1 MeV dans des photodiodes au germanium p+n ont été étudiés à l'aide de transitoires de capacité. Deux pièges à électron et un piège à trou sont observés après irradiation. Un second piège à trou apparait après guérison du premier piège à trou (à 300 °C). Les niveaux d'énergie associés à ces pièges, leurs sections de capture et leur comportement pendant la guérison ont été déterminés