Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de CarvalhoDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de SiO2:Sn depositado sobre a amostra. Neste estudo, evidencia-se as influências da conversão do GaAs dopado com Cr e das vacâncias de Ga. Os resultados obtidos são comparados com os da literaturaAbstract: Not informedMestradoFísicaMestre em Físic