Comparaison des effets de canaux courts entre les technologies MOSFET FDSOI et MOSFET bulk

Pour répondre au besoin d’augmentation des performances des circuits intégrés, de nouvelles architectures dites Trigate (développée par Intel) ou totalement déserté sur isolant (FDSOI, développée par ST Microelectronics) ont récemment été mise en production. Ce travail décrit la mise en place et le déroulement du nouveau TP de caractérisation électrique accessible au CIME Nanotech, Pôle CNFM de Grenoble, qui vise à comparer les performances des architectures de transistor conventionnelles (dites bulk) et FDSOI