Transport mechanisms in $\mathsf{MoTe_{2-x}}$ single crystals

Transport coefficient measurements (electrical conductivity, thermoelectric power, Hall effect) have been performed on single crystals of MoTe$_{2-x}~(x=$ 0.040 and 0.045). Experimental results are interpreted on the basis of a compensated p-type semiconductor model where donor and acceptor lacunar levels broaden in two energy bands. At low temperatures, the conduction mechanisms are mainly governed by a thermal hopping of carriers in these bands. At higher temperatures, the contribution of the extended states must be taken into account. MoTe$_{1,960}$ and MoTe$_{1,955}$ exhibit a quasi metallic behaviour which reflects the high delocalization of the electronic states in the broadened levels.Les mesures des coefficients de transport (conductivité électrique, pouvoir thermoélectrique, effet Hall ont été effectuées sur des monocristaux de dans une gamme étendue de température. Les résultats expérimentaux sont interprétés sur la base d'un modèle de semi-conducteur compensé de type p à niveaux élargis d'origine lacunaire. A basse température les mécanismes de conduction sont principalement gouvernés par des sauts activés thermiquement des porteurs dans le niveau accepteur élargi. A plus haute température, la contribution des états étendus doit être prise en compte. MoTe$_{1,960}$ et MoTe$_{1,955}$ présentent un comportement de type quasi métallique associé à la délocalisation élevée des états électroniques dans les niveaux élargis