Chemisorption of indium on (111) silicon by a mass spectrometric technique

Kinetics of chemisorption of Indium on (111) Silicon was measured, in ultra-high vacuum, by a mass-spectrometric technique, where the desorption signal was monitored. A coverage independent chemisorption energy of 57 K.Cal/mole was obtained upto 7 × 1014 atom/cm2. A localized resonating covalent bond between the metal and the substrate provides a reasonably simple explanation of the observed chemisorption energy.La cinétique de la chimisorption de l'Indium sur du Silicium (111) a été mesurée, sous ultra-vide, par une technique de spectrométrie de masse, dans laquelle le signal de désorption a été mesuré. Une énergie de chimisorption indépendante de couverture de 57 K . cal/mole a été obtenue jusqu'à 7 × 10 14 atome/cm2. Une liaison de résonance covalente et localisée entre le métal et le substrat fournit une explication simple et raisonnable de l'énergie de chimisorption observée