Crystallization kinetics in glassy GexSe100 - x

Crystallization kinetics of glassy GexSe100 - x system is studied using isothermal technique, i.e., by studying amorphous to crystalline transformation during isothermal annealing at various temperatures between glass transition and melting temperature. DC conductivity is taken a characteristic quantity to measure the extent of crystallization during crystallization process. To calculate the activation energy of crystallization and the order parameter, the data is fitted to the Avrami's equation of isothermal transformation. The calculated kinetic parameters indicate that different crystallization mechanisms are dominant in various ranges of transformations. The composition dependence of kinetic parameters is also discussed in terms of the structure of Ge-Se system.La cinétique de cristallisation du système GexSe 100 - x vitreux, est étudiée en utilisant la technique isothermique, c'est-à-dire, en étudiant la transformation de la phase amorphe à la phase cristalline par recuit isotherme à différentes températures entre la transition vitreuse et la température de fusion. On choisit la conductivité en courant continu comme paramètre caractéristique pour mesurer le taux de cristallisation durant le processus de cristallisation. Pour calculer l'énergie d'activation de cristallisation et le paramètre d'ordre, les résultats expérimentaux sont ajustés selon l'équation d'Avrami pour une transformation isotherme. Les paramètres de la cinétique calculés, indiquent que différents mécanismes de cristallisation sont prépondérants dans les différents domaines de transformation. Les valeurs relatives des paramètres de la cinétique sont discutées selon la structure du système Ge-Se