On the evaluation theory of C-V measurements on narrow gap semiconductor MIS structures

A theoretical model for evaluating experimental capacitance —voltage curves on narrow — gap semiconductor (NGS) MIS structures is developed. The features of NGS are taken into account. Demonstrated and discussed is the effect of utilizing Fermi-Dirac statistics, incomplete ionization and recharging of dopants and conduction band nonparabolicity on the behaviour of theoretical C-V curves and interface state density assessment. The analysis so conducted shows that these features must be accounted in C-V analysis of NGS MIS structures. Otherwise incorrect densities of interface states distributed across the band-gap of the semiconductor are obtained.On a développé et utilisé un modèle théorique pour évaluer les courbes expérimentales capacité-voltage dans des structures MIS réalisées sur des semiconducteurs avec une bande interdite étroite. On a discuté et démontré l'influence de certains facteurs sur le comportement des courbes C-V théoriques et sur la densité des états d'interface, comme l'utilisation de la statistique de Fermi-Dirac, l'ionisation incomplète et la recharge des dopants, le caractère non parabolique de la zone de conduction