An analytical approximation for the I-V characteristic of the MISS device

A closed-form expression for the I-V characteristic of the MISS device is obtained from the equations that govern the switching mechanism by considering resonant tunnelling conduction through the insulator. Both switching current and voltage are also obtained.Dans ce travail on obtient une expression analytique valable pour la caractéristique I-V du dispositif MISS. Les équations du mécanisme de commutation tiennent compte de la conduction par effet résonnant à travers l'isolant. On déduit aussi le courant et la tension à la commutation