Une méthode impulsionnelle de mesure de la durée de vie des porteurs injectés dans la zone centrale d'une structure pin

Usual methods for carrier-lifetime measurements in PIN structures give effective carrier-lifetimes corresponding to recombinations processes which occur in the whole structure (middle region and hightly-doped ends P + and N+). We propose a pulse-method for measuring carrier-lifetime in the bulk of the middle region.Les méthodes usuelles [1 à 7] de mesure de la durée de vie des porteurs dans les diodes PIN permettent la détermination d'une durée de vie effective correspondant à la recombinaison totale dans la structure [7] : zone centrale (I) et extrémités fortement dopées (P+ et N+). Nous proposons une méthode impulsionnelle, de mise en oeuvre facile dans le cas de durées de vie longues (> 0,1 μs) ; nous l'interprétons comme une mesure de la durée de vie en volume dans la zone centrale