Dispositif de conditionnement thermique pour l'étude des propriétés résistives et thermoélectriques d'alliages binaires en couches minces

In order to study the ohmic and thermoelectric properties which depend on the temperature, concerning different thin films of binary alloys deposited in ultra high vacuum by controlled coevaporation, two kinds of measures are required in situ. Concerning the ohmic measures, the substrate on which the thin film is deposited has to be submitted at a temperature as uniform as possible. This temperature must increase very slowly from the room temperature (293 K) to about 573 K, this is realized by a programmed heating system. Concerning the thermoelectric measures, a gradient of temperature between both edges of the thin film must be set and programmed. Both conditions can be satisfied with the below described system.L'étude des propriétés résistives et thermoélectriques en fonction de la température de différents alliages déposés en couches minces par coévaporation asservie sous vide nécessite des mesures de deux types effectuées in situ. Dans le cas de mesures résistives, il est nécessaire de porter le substrat sur lequel est déposée la couche mince à une température aussi uniforme que possible, cette température devant de plus évoluer très lentement dans le temps de l'ambiante (293 K) à 573 K environ, grâce à une programmation du dispositif de chauffage. Dans le cas de mesures thermoélectriques, il est nécessaire d'établir au contraire un gradient thermique entre les deux extrémités de la couche mince et de programmer ce gradient. Le dispositif décrit ici permet de réaliser ces deux conditions