Le changement de la dissociation des dislocations vis et des dislocations à 60° par une contrainte élevée, indique que la mobilité d'une dislocation partielle est déterminée non seulement par son caractère mais aussi par sa position devant ou derrière la faute d'empilement.From the change of the splitting width of pure screw and 60° dislocations under a high shear stress it is concluded that the mobility of a partial dislocation depends as well on its character as on its position before or behind the stacking fault
Des expériences de déformation in situ dans le microscope électronique sur des bicristaux de Si et G...
Using Acland potential for tungsten, the movement of 1/2a<1 1 1> screw dislocation under shear...
The mobility of partial dislocations in the {111} glide set of silicon is studied using empirical po...
La majeure partie de la théorie des dislocations a été développée pour les milieux continus et on ne...
On étudie l'influence des contraintes élevées sur la largeur de dissociation des dislocaions dans si...
Les caractéristiques du mouvement d'ensemble des dislocations pendant la déformation de cristaux de ...
Nous décrivons la géométrie et les états électroniques des dislocations partielles rectilignes dans ...
On montre que les dislocations sont dissociées non seulement au repos mais aussi en mouvement. En ut...
Des mesures de mobilité de dislocations dans des domaines de contrainte et de température encore ine...
Après avoir discuté la structure de cœur des différents types de dislocations dans la structure diam...
Possible geometrical structures for dislocation cores in elementary and compound semiconductors are ...
Pour rendre compte des courbures de dislocations dans le silicium différentes estimations de la tens...
La technique de topographie aux rayons X est utilisée pour étudier les configurations de dislocation...
Thesis (Ph. D.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Nuclear Engineering, 1997.Includes ...
The Peach-Koehler expression for the stress generated by a single (non-planar) curvilinear dislocati...
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Using Acland potential for tungsten, the movement of 1/2a<1 1 1> screw dislocation under shear...
The mobility of partial dislocations in the {111} glide set of silicon is studied using empirical po...
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