THERMODYNAMIC STUDIES OF HIGH TEMPERATURE EQUILIBRIA OF THE Si - N, Si - C - H AND Si - O - C - H SYSTEMS

Des résultats de la modélisation de l'équilibre thermodynamique de différents systèmes sont présentés pour les applications suivantes (1) : Synthèse de Si3N4 à partir de Si dans un plasma d'azote (système Si-N), (2) : Synthèse de Sic à partir de poudre de Si dans un plasma de butane et propane contenant de l'hydrogène (système Si-C-H), (3) : Synthèse de SiC à partir de poudre de silice (SiO2) dans un plasma de butane et propane contenant du graphite (système Si-O-C-H). L'algorithme est basé sur la loi d'action de masse.A model of system thermodynamic equilibrium and the obtained results in the temperature interval of 1000 [K] to 6000 [K] at p = const = 1 [bar] are presented for: 1) the Si-N system for Si3N4 synthesis from Si - powder in a nitrogen thermal arc plasma. 2) the Si-C-H system for SiC synthesis from Si-powder in a propane-butane thermal arc plasma (with added hydrogen) and 3) the Si-O-C-H system for SiC synthesis from SiO2-powder in a propane-butane thermal arc plasma (with added C-powder). The developed algorithm is based on the mass action law