STRUCTURE OF CLEAN III-V SEMICONDUCTOR SURFACES

Les structures atomiques de surfaces reconstruites de semiconducteurs III-V ont été résolues par la technique de diffraction des rayons X sous incidence rasante en ultra-vide pour deux orientations cristallographiques importantes : {111} et {001}. Il a été montré que dans le premier cas, le processus dominant la reconstruction est la rehybridation des orbitales tandis que dans le second, la dimérisation des atomes de la couche de surface est à l'origine de la nouvelle symétrie. La coexistence de deux structures ordonnées a été observée dans le cas de la reconstruction c(4x4) de GaAs (001) ce qui met en évidence le degré de liberté additionnel lié à une possible variation de la stoechiométrie de surface.The atomic structures of III-V semiconductor reconstructed surfaces have been solved by grazing incidence X-ray diffraction under ultra-high vacuum for two important cristallographic orientations : {111} and {001}. It was shown that the dominant effect in the first case was orbital rehybridization, whereas in the second example, dimer formation between the atoms of the surface layer is at the origin of the new symmetry. The coexistence of two ordered structures has been observed for the c(4x4) reconstruction of GaAs (001) which outlines the additional degree of freedom induced by a possible variation of the surface stoichiometry