HIGH FREQUENCY BASE RESISTANCE AND THE REPRESENTATION OF TWO AND THREE-DIMENSIONAL AC AND DC EMITTER AND BASE CURRENT FLOW OF BIPOLAR TRANSISTORS

La résistance de base et l'impédance d'entrée à haute fréquence de transistors bipolaires sont simulées en utilisant une représentation à trois dimensions (3D). On observe que la réduction de la resistance de base ainsi que les courants 3D de transistors non-murés ne peuvent être correctement representées par des circuits équivalents standards. Une représentation parallèle du transistor est proposée pour mieux modeler les transistors non-murés à haute fréquence.The high frequency base resistance, input impedance and current flows of bipolar transistors are simulated using a quasi three-dimensional (3D) representation of the device. It is found that the reduction in base resistance as well as the 3D current flows of non-walled transistors cannot be properly simulated using standard distributed equivalent circuits. A parallel connected equivalent circuit is proposed for improved high frequency modeling of non-walled devices