CONTRIBUTION OF THE DEFECTS TO THE ELECTRONIC PROPERTIES OF THE METAL SEMICONDUCTOR INTERFACE

Le contact métal-semiconducteur joue un rôle essentiel dans les propriétés des circuits électroniques à semiconducteur. Des progrès récents dans ce domaine montrent que les propriétés électriques sont contrôlées par des états d'interface, apparaissant dès les premiers stades de la métallisation. Dans ce contexte, nous avons étudié l'influence des lacunes de surface sur les propriétés de l'interface de façon self consistante dans le modèle moléculaire après avoir caractérisé en détail la surface idéale. Nous montrons que le barycentre des états associés aux lacunes III et V a tendance à se déplacer du bas de la bande interdite vers le haut en fonction de l'ionicité du composé. Ce résultat est comparé à la relation existant entre l'ancrage du niveau de Fermi par l'absorption métallique et l'ionicité du composé.The metal-semiconductor contact plays an essential role in the properties of semiconductor devices. Recent progress in this field show that the electronic properties are controlled by the interface states, which appear during the first stages of metallization. In this context, we have studied the influence of the (110) surface vacancies on the properties of the interface in a self consistent way within the molecular model framework after the characterization of the ideal (110) surface. We show that the barycenter of the levels associated with the V and III vacancies has a tendency to move towards the upper part of the forbidden gap as ionicity of the compound increases. This result can be compared to the existing relation between the pinning of the Fermi level by a metallic adsorption and the compound's ionicity