L'existence de niveaux d'énergies à la surface des semiconducteurs, niveaux situés dans la bande interdite, bien que prévue théoriquement depuis longtemps est difficile à mettre en évidence expérimentalement. On examine les diverses méthodes utilisées et leurs principaux inconvénients. Une meilleure compréhension des phénomènes et les progrès de la technologie ont permis récemment d'élaborer des méthodes de mesures plus spécifiques des états de surface. On indique quels résultats ont été obtenus notamment dans l'étude de l'interface Silicium-Diélectrique.The theoretical existence of surface states in the forbidden gap of semiconductors has been demonstrated for a long time. Nevertheless, the experimental investigation is rather difficult. M...
The results of a systematic study of the surface barrier height variations of a semiconductor versus...
In this paper we review fondamental points in the formation of Metal Semiconductor contact. After a ...
On discute le problème d'un électron interagissant avec une surface de cristal en termes généraux. D...
Le contact métal-semiconducteur joue un rôle essentiel dans les propriétés des circuits électronique...
Contains reports on two research projects.Joint Services Electronics Program (Contract DAAG29-78-C-0...
Contains reports on two research projects.Joint Services Electronics Program (Contract DAAG29-78-C-0...
The processes of the electrochemical oxidation for different semiconductors are investigated in the ...
The processes of the electrochemical oxidation for different semiconductors are investigated in the ...
Des études expérimentales récentes montrent que certains systèmes semiconducteurs, tels que AlxGa1-x...
Contains research objectives and summary of research on one research project.Joint Services Electron...
Contains reports on two research projects.Joint Services Electronics Program (Contract DAAG29-78-C-0...
Contains reports on one research project.Joint Services Electronics Program (Contract DAAB07-75-C-13...
En dépit de modèles aussi nombreux que variés, le mécanisme de formation des barrières Schottky semb...
La présence d'états électroniques de surface dans la bande interdite d'un semi-conducteur implique d...
Contains reports on two research projects.Joint Services Electronics Program (Contract DAAG29-80-C-0...
The results of a systematic study of the surface barrier height variations of a semiconductor versus...
In this paper we review fondamental points in the formation of Metal Semiconductor contact. After a ...
On discute le problème d'un électron interagissant avec une surface de cristal en termes généraux. D...
Le contact métal-semiconducteur joue un rôle essentiel dans les propriétés des circuits électronique...
Contains reports on two research projects.Joint Services Electronics Program (Contract DAAG29-78-C-0...
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The processes of the electrochemical oxidation for different semiconductors are investigated in the ...
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Des études expérimentales récentes montrent que certains systèmes semiconducteurs, tels que AlxGa1-x...
Contains research objectives and summary of research on one research project.Joint Services Electron...
Contains reports on two research projects.Joint Services Electronics Program (Contract DAAG29-78-C-0...
Contains reports on one research project.Joint Services Electronics Program (Contract DAAB07-75-C-13...
En dépit de modèles aussi nombreux que variés, le mécanisme de formation des barrières Schottky semb...
La présence d'états électroniques de surface dans la bande interdite d'un semi-conducteur implique d...
Contains reports on two research projects.Joint Services Electronics Program (Contract DAAG29-80-C-0...
The results of a systematic study of the surface barrier height variations of a semiconductor versus...
In this paper we review fondamental points in the formation of Metal Semiconductor contact. After a ...
On discute le problème d'un électron interagissant avec une surface de cristal en termes généraux. D...