Le régime permanent de déplacement des parties courbées des dislocations dans un cristal de silicium en cours de déformation est expliqué par un modèle de décrochements dans lequel les décrochements s'annihilent au voisinage de l'apex de la courbure. On discute le paradoxe apparent d'une déformation sous faible contrainte conduisant à des dislocations courbées malgré un potentiel de Peierls élevé.The steady state motion of dislocation bends in silicon taking place when the crystal is being deformed is explained in terms of the kink model assuming a kink annihilation mechanism in the apex region of the bend. The apparently paradoxical behaviour that a deformation at low stress produces curved dislocations though the Peierls energy is high is...
Les observations de microscopie électronique in situ effectuées par Daniel Caillard (CEMES, Toulouse...
The motion of extended defects called dislocations controls the mechanical properties of crystalline...
Les dislocations dans les semiconducteurs de structure diamant se déplacent par la formation et migr...
We present a generalized Peierls-Nabarro model for curved dislocations incorporating directly the Pe...
Les caractéristiques du mouvement d'ensemble des dislocations pendant la déformation de cristaux de ...
The equilibrium state of moving dislocations in a crystal during the constant strain-rate deformatio...
Pour rendre compte des courbures de dislocations dans le silicium différentes estimations de la tens...
On propose ici que les décrochements sur les dislocations soient associés à des états chargés dans l...
The paper gives a coherent account of the theory of dislocation mobility in terms of kink-pair forma...
On montre que les dislocations sont dissociées non seulement au repos mais aussi en mouvement. En ut...
Nucleation and motion of kink pairs on partial dislocations are examined by elasticity theory for ma...
Le fait que l'énergie potentielle d'une dislocation soit une fonction périodique de sa position peut...
A dislocation dynamical model for plastic deformation including increase and decrease in mobile disl...
Un modèle nouveau est proposé pour l'action des impuretés électriques sur la vitesse des dislocation...
HREM lattice images have been obtained using “forbidden" reflections generated by (111) stacking fau...
Les observations de microscopie électronique in situ effectuées par Daniel Caillard (CEMES, Toulouse...
The motion of extended defects called dislocations controls the mechanical properties of crystalline...
Les dislocations dans les semiconducteurs de structure diamant se déplacent par la formation et migr...
We present a generalized Peierls-Nabarro model for curved dislocations incorporating directly the Pe...
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On propose ici que les décrochements sur les dislocations soient associés à des états chargés dans l...
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